突发！联电 × 力旺，日本建厂重启存储代工

4 月 22 日，根据爆料，全球 NAND Flash 严重缺货潮下，日本存储龙头主动牵手联电，促成其与半导体 IP 大厂力旺强强联合，重启存储代工业务。此次合作将落地联电日本工厂，主攻2D NAND 与 NOR Flash芯片代工，既是联电多年后重返存储赛道的关键一步，更创下台企首度在日本生产存储芯片的行业纪录。

据消息人士透露，2D NAND 与 NOR Flash 量产计划将落户联电日本 12 英寸晶圆厂 USJC。该厂前身为富士通三重市 12 英寸晶圆厂，兼具逻辑与存储双重制造经验，深耕车载、工业控制领域多年，是业界公认的低密度存储芯片代工优质基地。

USJC 成熟制程适配45/40 纳米 MLC NAND产品，规划2026 年下半年试产、2027 年正式量产，此举可让联电在不影响主力逻辑代工产能的前提下，灵活调配产能，抢抓存储市场机遇。

此次合作恰逢其时。当前铠侠等一线 NAND 大厂纷纷退出2D NAND 制造，全力加码高阶 3D NAND，但2D NAND 与 NOR Flash在车载、工业控制、消费电子等领域需求依旧旺盛，且产品生命周期普遍超十年，市场供应缺口持续扩大。日本存储龙头为保障长期供应稳定、分散地缘政治风险，积极布局替代产能，直接推动了本次联电与力旺的合作落地。

联电与力旺是深耕多年的战略伙伴，双方渊源深厚且技术互补。早期均涉足存储技术，后分别转向逻辑制程与半导体 IP 赛道，合作可追溯至联电将力旺 **OTP（一次性可编程非易失性存储器）** 技术导入 0.18 微米及以下制程平台。

2013 年，双方扩大技术合作，将 OTP、MTP 技术部署于联电 0.18 微米至 28 纳米制程平台，覆盖成熟到先进多个节点。2020 年，联电、力旺及熵码科技联合推出全球首个PUF 应用安全嵌入式闪存方案（PUFflash），导入联电 55 纳米 eFlash 平台。2021 年，力旺ReRAM（电阻式随机存取存储器）IP通过联电 40 纳米认证；2023 年，其 RRAM IP 再通过联电 22 纳米超低功耗平台可靠度验证，同步推进车规级 RRAM 开发。

行业分析指出，逻辑制程本无法直接转换生产存储制程，但 28 纳米嵌入式非易失性存储（eNVM）技术，可将NOR Flash 结构整合进逻辑电路。对比技术门槛更高的 3D NAND、无法互通的 DRAM，逻辑晶圆厂转产2D 平面架构 NAND 与 NOR Flash，是可行性最高的路径。本次双方采用IP＋制程整合模式，以最少硬件与流程改动，加速良率提升与技术导入，联电内部正评估以28 纳米制程转换生产。

值得关注的是，联电刚宣布下半年调涨成熟制程代工价格，若顺利切入存储代工赛道，有望搭上存储量价齐扬热潮，成为拉动业绩增长的核心新动能。

针对此次传闻，联电、力旺目前均不予回应，市场焦点已聚焦于联电4 月 29 日法说会，静待官方披露存储代工新业务的更多细节。

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